始于2017年的美光控告福建晋华侵权案最近有了新的进展，且对晋华有利。美联邦法院以晋华的产品并未在美国境内销售，超出美国法院的管辖权为由驳回美光的诉讼。

本次诉讼被驳回是美光与晋华自交手以来的第二次挫败。2018年1月，晋华向福州法院控告美光的部分存储产品，包括内存条，固态存储器和芯片侵犯晋华的专利，福州法院于2018年7月向美光发出“诉中禁令”，要求美光半导体立即停止销售及进口十余款英睿达固态硬盘、内存条和相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。因此业内认为美光气急败坏，为报复晋华，通过游说对美国商务部施加压力，使其在2018年11月对晋华和联电发出制裁令，对晋华和联电实施禁运。

虽说晋华因其DRAM产品并未量产而不受美法院管辖，但因之前的禁运，使得晋华的DRAM产品的自主研发道路变得更加艰难。而晋华受到的进攻并不是美光对国内半导体厂商唯一采取的行动。美光为了维护自身的权益一直密切关注行业内厂商的动态。因此在国内的一些半导体厂商成立之初就已经进入了美光的防范区域。

在美光的众多竞争者中只有晋华一家遭到美光的伏击，背后的原因是值得深思的。

合肥长鑫也在进行DRAM的研发，并且早就被美光盯上。2015年美光收购台湾存储厂商华亚科技67%的股份，成为华亚科技的实际掌控者。与此同时合肥长鑫和长江存储对华亚科技展开了挖人行动，以华亚两倍以上的薪资将上百名华亚员工挖到内地，其中很多为主管级别。美光也迅速对此采取反挖行动，很多在内地工作的台湾员工回台过年时都被台检方进行约谈，并限制其出境。但这并未对长鑫的DRAM研发造成实质性打击，究其原因是长鑫注重研发团队的多样性和隐秘性。从一开始布局DRAM研发，其研发团队的来源就具有多样性，除了华亚科，韩国SK海力士，日本尔必达也是其研发团队的重要来源，且其研发地点数量和地点也不为外界所知，大大增强了抗击其他厂商阻击的能力。

国内另一存储巨头长江存储也在美光的围剿名单上，然而美光对长江更是无可奈何。长江存储成立之初就将研发的自主性放在首位，绝不靠偷窃其他先进存储公司的技术获得发展，一门心思进行技术研发，避免了一切被其他厂商盯上的风险。由于对自主研发的长期坚持，长江存储成功开发出一项新的技术-Xtacking技术，该技术使得产品开发时间缩短三个月，生产周期可缩短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比传统3D NAND拥有更高的存储密度。目前长江存储已成功开发出14nm制程，32层64GB的3D DRAM产品，虽然和国际先进技术相比还有一代的差距，但成功实现了存储芯片的国产化，大大鼓舞了国内厂商实现自主研发的信心。相信凭借长江存储对自主研发的坚持，在不久的将来定可追上国际存储大厂的脚步。

而晋华除了没有像长江存储那样坚定地走自主研发之路，也没有像长鑫那样注重对研发团队多样性的保护，导致其研发团队很容易遭受敌对厂商的破坏，更重要的是晋华的研发基地位于台湾，借用台企联电的资源进行技术研发，这就为美企对其采取行动提供了地利。

虽然美光两次对晋华提起诉讼都以失败告终，但实质上晋华的DRAM研发计划已遭受了沉重打击，缺乏自主研发能力，唯一的技术来源又遭到封杀，晋华的DRAM存储生产计划基本停滞，司法程序上的胜利并不能使晋华摆脱自身的技术困境。

国内厂商从美光控告晋华的一系列事件中不能仅仅看到美光的一再失利，更应该去思考在众多大陆半导体厂商中晋华成为美光集中火力围剿对象的原因，更应该看到晋华表面胜利所隐藏的重大损失。中国半导体想要获得长远发展，除了进行大量的技术引进，自主研发才是最强有力的后盾。